特許
J-GLOBAL ID：200903079445793249
分析試料作製装置及びその使用方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010888
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224275
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【構成】 装置は液滴保持具101と電源回路(105〜7)とを備える。保持具101は溶剤液滴をウェーハW表面上に保持する。電源回路はウェーハWに接続する第1の接点部及び上記液滴に接触する第2の接点部間に電圧を印加する。電圧源回路を所定極性で金属不純物元素の濃集処理にて用いれば、液滴内に電気化学反応が起こり、光学研磨されたウェーハW上にメッキ原理で光学的平坦性を保って金属不純物元素を選択吸着させ得る。また、溶解回収処理で電圧源回路を使用すればウェーハ表面に多孔質層が形成され、液滴とウェーハとの接触面積が増加し、平坦なウェーハは殆ど溶解しない溶剤での高速溶解を可能にする。【作用】 Si結晶表面及び内部の極微量金属不純物の多元素同時分析を定量性良く、高感度に行える。
請求項（抜粋）：
半導体基板の被分析物質に対して溶剤となる液滴を前記半導体基板表面上に保持する液滴保持具と、該液滴保持具へ前記液滴として溶剤を供給する溶剤供給手段と、前記半導体基板に接続された第1の接点部及び前記液滴に接触する第2の接点部を有し、該第1、第2の接点部間に電圧を印加する電圧源回路とを備えている分析試料作製装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 1/28
, H01L 21/306
