特許
J-GLOBAL ID：200903079450819450
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246365
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097109
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 相補型電界効果型半導体装置の構造の改良に関し、簡単且つ容易にp型拡散層とチタン層との接触部のショットキー障壁を低くして接触抵抗を小さくすることが可能となる半導体装置の提供を目的とする。【構成】 p型半導体基板1上に複数のp型拡散層3と複数のn型拡散層4とをそれぞれ具備し、複数のp型拡散層3の間及び複数のn型拡散層4の間にそれぞれゲート電極6が設けられ、p型半導体基板1の表面に絶縁膜7を形成し、絶縁膜7の複数のp型拡散層3と複数のn型拡散層4の位置にそれぞれコンタクトホールを形成し、コンタクトホール内にバリアメタル層を介してアルミ配線層を形成した相補型電界効果型半導体装置において、これらのp型拡散層3及びn型拡散層4と接触するバリアメタル層のコンタクトメタルに、p型半導体基板1の拡散層とのショットキー障壁が最小になり、かつ互いに異なる金属を用いるように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)上に複数のp型拡散層(3)と複数のn型拡散層(4) とをそれぞれ具備し、該複数のp型拡散層(3) の間及び該複数のn型拡散層(4) の間にそれぞれゲート電極(6) が設けられ、前記半導体基板(1) の表面に絶縁膜(7)を形成し、該絶縁膜(7) の前記複数のp型拡散層(3)と複数のn型拡散層(4) の位置にコンタクトホール(7a)とコンタクトホール(7b)とを形成し、該コンタクトホール(7a)とコンタクトホール(7b)内にバリアメタル層を介してアルミ配線層を形成した相補型電界効果型半導体装置において、前記p型拡散層(3) 及びn型拡散層(4) と接触するバリアメタル層のコンタクトメタルに、前記半導体基板(1) の拡散層とのショットキー障壁が最小になり、かつ互いに異なる金属を用いることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 27/092
