特許

J-GLOBAL ID：200903079453995268

半導体装置の製造方法

発明者： 間ケ部 明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-019117
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210783
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 熱圧着による半導体チップ間の接合工程の効率を改善し、製造ライン全体の効率を上げることができる半導体装置の製造工程を提供する。【解決手段】 半導体チップ26と半導体チップ30とを異方性導電接着剤28を介して密着させ半導体ユニット56とする。そしてこの半導体ユニット56を加圧治具32にて挟み込んで締付力を与える。その後加圧治具32を加熱炉44に投入し半導体ユニット56への加熱を行う。このように個々の半導体ユニット56について熱圧着を行うのではなく、複数の半導体ユニット56に対してバッチ処理を行うので、各工程の完了時間に差があっても、この時間差を吸収し、製造工程の効率向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップ同士を接着剤を介して密着させ半導体ユニットとした後、この半導体ユニットへの熱圧着により前記接着剤を硬化させ前記半導体チップ間の接合をなす半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップ間に前記接着剤を塗布し仮圧着状態である前記半導体ユニットを形成した後、複数の前記半導体ユニットを加圧治具に設置し、この加圧治具とともに前記半導体ユニットを加熱手段へと投入し、前記接着剤の硬化をバッチ処理にて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 25/08 B

Fターム (5件)：

5F044KK05 ,  5F044LL09 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR02