半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187112
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009167
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は、レギュレータICに応用した場合に発振余裕度を高めることができるように、製造が容易で、横型トランジスタの応答速度を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第1導電型半導体基板1と、第1導電型半導体基板1上に形成された第2導電型半導体層3と、第1導電型半導体基板1の少なくとも表面の一部を含んで形成された第2導電型埋め込み拡散層2と、第2導電型半導体層3表面から第2導電型埋込み拡散層2に接触するように形成された横型トランジスタαのエミッタとして機能する第1導電型エミッタ拡散層5’及び横型トランジスタのコレクタとして機能する第1導電型コレクタ拡散層5と備えて半導体装置を構成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該第1導電型半導体基板上に形成された第2導電型の半導体層と、前記第1導電型半導体基板の少なくとも表面の一部を含んで形成された第2導電型の埋め込み拡散層と、前記第2導電型半導体層表面から前記第2導電型埋込み拡散層に接触するように形成された横型トランジスタのエミッタとして機能する第1導電型のエミッタ拡散層及び横型トランジスタのコレクタとして機能する第1導電型のコレクタ拡散層とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8224 , H01L 27/082 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/08 101 V , H01L 29/72

Fターム (22件)：

5F003BB01 , 5F003BB08 , 5F003BC01 , 5F003BE01 , 5F003BJ01 , 5F003BN01 , 5F003BP31 , 5F082AA06 , 5F082AA40 , 5F082BA02 , 5F082BA12 , 5F082BA13 , 5F082BA21 , 5F082BA31 , 5F082BA47 , 5F082BA50 , 5F082BC03 , 5F082BC04 , 5F082EA10 , 5F082FA13 , 5F082GA02 , 5F082GA04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-166268
特開昭63-216374
特開昭57-007157

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