特許

J-GLOBAL ID：200903079456153799

半導体装置およびその製造方法

発明者： 有馬 純一 ,  中島 盛義
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228471
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077497
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 層間絶縁膜9を平坦化する際にゲート電極への酸化剤の進入を防止し、ゲートバーズビークを極力小さくすることを目的とする。【構成】 半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成後にランプアニール法により窒化膜15でゲート電極を覆う様に形成する。【効果】 EEPROM消去時のファウラー・ノルドハイム・トンネル電流が容易に流れ、効率の良い消去特性が得られる。

請求項（抜粋）：

ソースとドレインの不純物拡散層を有する半導体装置において、ゲート電極全体にランプアニール法により形成し、半導体基板及びゲート電極に酸化剤の侵入を防止する窒化膜を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434