特許
J-GLOBAL ID：200903079459118846
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211927
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064204
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 ソース領域と分離不純物領域を意図的に接近しないように形成し、ソース領域の耐圧向上によりエンデュランス特性の劣化を防ぎ、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、p型ウェル領域1と、分離不純物領域6と、分離絶縁膜5と、ソース領域57と、コントロールゲート電極55とを備える。分離不純物領域6は、p型であり、p型ウェル領域の主表面から所定の深さに分布する。分離絶縁膜5は、分離不純物領域6の上でp型ウェル領域1に互いに距離を隔てて複数個が形成される。ソース領域57はn型であり、分離絶縁膜5の間のp型ウェル領域1内で分離不純物領域6の上に分離不純物領域6から離隔して形成される。コントロールゲート電極55は分離絶縁膜5上に形成される。
請求項（抜粋）：
主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記主表面から所定の深さに分布する第1導電型の分離不純物領域と、前記分離不純物領域の上で前記半導体基板に互いに距離を隔てて形成された複数個の分離絶縁膜と、前記分離絶縁膜の間の前記半導体基板内で前記分離不純物領域の上に前記分離不純物領域から離隔して形成された第2導電型のソース領域と、前記分離絶縁膜上に形成されるコントロールゲート電極とを備えた、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
