半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大岩増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-295550
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139542
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】アレイ型半導体レーザ装置の各アレイ部の発振波長が同期せずに、全体として拡がってしまい、固体レーザの吸収波長域に合わなくなる。【解決手段】 n-GaAs基板1とp-GaAsキャップ層3との間に形成されたアレイ状活性領域2からレーザ光が出射されるように設けられた前端面4a及び後端面4bを有する半導体レーザと、この半導体レーザのアレイ状活性領域2の一つから出射されたレーザ光の一部が他の活性領域に入射されるような距離をおいて、半導体レーザの後端面4bの後方に配置された反射ミラー5を備えたものである。

請求項（抜粋）：

第一導電型のGaAs基板と、第二導電型のGaAsキャップ層と、上記第一導電型のGaAs基板と第二導電型のGaAsキャップ層との間にアレイ状に形成された複数の活性領域と、この複数の活性領域からレーザ光が出射されるように設けられた前端面及び後端面を有する半導体レーザ、この半導体レーザの複数の活性領域の一つから出射されたレーザ光の一部が他の活性領域に入射されるように、上記後端面の後方に配置された反射ミラーを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-209585
特開平2-032581
特開平3-228387

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