特許

J-GLOBAL ID：200903079465492814

MIS型半導体装置

発明者： 宮本 正文 ,  石井 達也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307727
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161987
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 飽和領域でのドレイン電圧によるドレイン電流の変化が小さく(すなわち、出力抵抗が大きく)、しきい値のチャネル長依存性と表面のパンチスルーとを抑えて、アナログ回路に適した埋込チャネル型MIS型半導体装置を提供すること。【構成】 MOSトランジスタのp型埋込型チャネル領域5とp型ドレイン領域4との間にn型不純物領域6を形成する。【効果】 ドレイン領域4側の埋込チャネル領域5の端に設けたn型不純物領域6によるpn接合により、ドレイン電圧によるポテンシャルの変化が吸収され、チャネル内部にはポテンシャルの変化は少ない。

請求項（抜粋）：

埋込チャネル型のMIS型半導体装置において、上記埋込チャネル領域とドレイン領域との間に上記埋込チャネル領域および上記ドレイン領域と反対導電型のドレイン側反対導電型領域を具備したことを特徴とするMIS型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 27/08 321 C