特許
J-GLOBAL ID：200903079468296285
裏面照射型受光デバイスおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268548
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116977
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 反りや湾曲が低減され、かつ、強固に固着された補強材によって保護された裏面照射型受光デバイスを提供する。【解決手段】 半導体薄板100を、電荷読み取り部110を含む受光素子が形成された側で、受光素子を保護する誘電体膜200上の接着剤としてのガラス層320とガラス接合で強固に固着されるとともに、半導体薄板100の材料が露出された部分では陽極接合で固着された、半導体薄板100の材料と熱膨張率が略一致するガラス体420を備える。この結果、半導体薄板100は充分な機械的強度を有するガラス体420によって補強され、機械的なストレスに対して保護される。
請求項（抜粋）：
シリコンを主材とする半導体薄板の一方の表面に、1次元あるいは2次元的な配列を有する電荷読み出し部が形成されるとともに、前記半導体薄板の前記電荷読み出し部の形成面に対する裏面に、イオン注入後に活性化されて形成されたアキュームレーション層を備え、前記半導体薄板の裏面から入射する電磁波あるいは荷電粒子のエネルギを検出する裏面照射型受光デバイスであって、前記電荷読み出し部を含む前記半導体薄板の表面の第1の領域上に形成された誘電体膜と、少なくとも、前記第1の領域を取り囲む前記半導体薄板の表面の第2の領域と前記第1の領域との境界付近の前記誘電体膜の表面上に形成されたガラス層と、前記ガラス層とガラス接合して接続されるとともに、前記半導体薄板と陽極接合され、前記ガラス層、前記誘電体膜、および前記電荷読み出し部を取り囲む、前記半導体薄板と略同一の熱膨張率を有するガラス体と、を備える裏面照射型受光デバイス。
IPC (3件)：
H01L 27/148
, H01L 29/762
, H01L 21/339
H01L 27/14 B
, H01L 29/76 301 E
