特許

J-GLOBAL ID：200903079469289819

圧電体セラミックス薄膜デバイス

発明者： 青山 拓 ,  宮下 悟 ,  久野 忠昭
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-017206
公開番号（公開出願番号）：特開平10-215008
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 従来、薄膜セラミックス自身の構造、とりわけデバイス特性の優劣を決定するセラミックス材料の結晶状態や配向性の制御に言及されておらず、これによりたデバイスの特性が不安定であったことが課題であった。【解決手段】 圧電性を有するセラミックス薄膜とそれを挟持する互いに平行な一対の電極板等から成る圧電体セラミックス薄膜デバイスにおいて、該圧電体セラミックスを構成する結晶の内、その50%以上について、自発分極方向と電極面の垂直方向(法線方向)のなす角度が20度以下とする。

請求項（抜粋）：

圧電性を有するセラミックス薄膜とそれを挟持する互いに平行な一対の電極板、及びこれらを支持する基板等から成る圧電体セラミックス薄膜デバイスにおいて、該圧電体セラミックスを構成する結晶の内、その50%以上について、自発分極方向と電極面の垂直方向(法線方向)のなす角度が20度以下であることを特徴とする圧電体セラミックス薄膜デバイス。

IPC (4件)：

H01L 41/09 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/49 ,  H01L 41/187

FI (4件)：

H01L 41/08 C ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/49 Z ,  H01L 41/18 101 D