特許

J-GLOBAL ID：200903079485882953

半導体インピーダンス装置

発明者： バーノン ジョージ マツケニイ ,  ツイウ チウ チヤン
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-200909
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013577
出願日： 1977年11月21日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 高抵抗を与えしかも極めて占有面積の小さな半導体インピーダンス装置を提供する。【構成】 半導体インピーダンス装置は、基板30上に被着された絶縁層38上に形成されている多結晶半導体材料の単体20内に設けられている。単体20の所定領域は外因性不純物によりドープされて第2導電路24を画定しており、一方実質的に真性な領域は第1導電路22を画定している。第1導電路と第2導電路との境界28は真性-外因性接合を画定している。【効果】 真性-外因性接合でインピーダンス特性を得るものであるから、占有面積が極めて小さく、負の温度係数を有するので温度補償効果を与えることが可能であり、実質的に真性なものであるから製造が容易且つ歩留りが向上する。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体材料の基板表面上に被着された絶縁層上に設けられた半導体インピーダンス装置において、前記絶縁層上にその1部によって第1導電路を画定する実質的に真性の多結晶半導体材料の基体が一体的にパターン形成されており、前記基体の所定の領域内には第2導電路を画定する所定の導電型の外因性不純物のドープ領域が形成されており、前記基体と前記ドープ領域との境界によって真性-外因性接合が画定されており、前記第1導電路と前記第2導電路とが前記真性-外因性接合を通る電流に対し直列電気通路を形成していることを特徴とする半導体インピーダンス装置。

IPC (3件)：

H01L 27/11 ,  G11C 11/412 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  G11C 11/40 301

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-011644
  
• 特開昭49-022871