特許
J-GLOBAL ID：200903079488706544
ドライエッチング方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-003143
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208977
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 多層薄膜のエッチング方法において、処理工程数が少なく、且つ、高信頼性の製品が得られるドライエッチング方法を提供することを目的としている。【構成】 エッチングガスが存在する反応室1内に、平行電極3,4を設置し、一方の電極4上に、被エッチング薄膜9を有する被エッチング物8を設置し、この被エッチング物8を設置した電極4に高周波電源7を接続して、被エッチング物8の被エッチング薄膜9をエッチングするドライエッチング方法において、前記エッチングガスに、CF4ガスとO2ガスとの混合ガス等を使用し、 前記被エッチング薄膜9に、2種類以上の薄膜を積層した多層膜をドライエッチングした後、結果としてより上層の薄膜エッチング量が、より下層の薄膜のエッチング量より大きくするためにSF6ガスとO2ガスの混合ガス等を使用することにより形状補正し正テーパ形状を得ることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
エッチングガスが存在する平行平板電極が設けられた反応室内の一方の電極上にガラス基板を配置し、ガラス基板を配置した電極に高周波電力を印加して、ガラス基板上の多層薄膜をドライエッチングする際に、一旦多層膜をドライエッチングした後にエッチング形状を正テーパにする補正を行なうためにさらにドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H05H 1/46
, H01L 29/784
