特許

J-GLOBAL ID：200903079490328999

透明電極及び透明電極のパターニング方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法

発明者： 篠原 亘 ,  山本 恵章
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-390983
公開番号（公開出願番号）：特開2001-266654
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、ZnO膜を用いても熱損傷、絶縁不良等を発生しない透明電極のパターニング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 透光性基板1上にスパッタ法でITO膜3を形成し、このITO膜3上にZnO膜4をスパッタ法で形成した後、Nd:YAGレーザビームを照射し、照射領域のITO膜3及びZnO膜4を除去してパターニングを行う。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に形成された透明電極膜がレーザビームを用いてパターニングされて形成される透明電極であって、前記透明電極は透光性基板側からZnO膜より融点の低い透明電極膜、ZnO膜の順序で積層して形成されていることを特徴とする透明電極。

IPC (4件)：

H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/28 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

H01B 5/14 A ,  H01B 5/14 B ,  H01B 13/00 503 D ,  H01L 21/28 F ,  H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 Z