特許
J-GLOBAL ID：200903079496517637
化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048004
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289109
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 電気的特性及び光学特性の良好な化合物半導体発光素子を提供する【解決手段】 化合物半導体発光素子において、N型GaN層と、該N型GaN層の上に形成されたGa1-xAlxNからなるN型クラッド層と、該N型クラッド層の上に形成された活性層を備える。また、N型GaN層と、該N型GaN層の上に形成されたGa1-xAlxNからなるN型クラッド層と、該N型クラッド層の上に形成されたGa1-xAlxNからなる活性層とを備え、前記N型クラッド層もしくは活性層は、Inの材料ガスを同時に供給して成長させたInxGayAl1-x-yN (0≦x,y≦1)として形成する。
請求項（抜粋）：
N型GaN層と、該N型GaN層の上に形成されたGa1-xAlxNからなるN型クラッド層と、該N型クラッド層の上に形成された活性層を備えたことを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 A
, H01S 3/18
