特許

J-GLOBAL ID：200903079501458725

半導体装置の製造方法

発明者： 山崎 治 ,  服部 弘美 ,  中村 一世 ,  福島 信教
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022432
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217942
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトにおける拡散バリアの段差被覆性を向上させ、低抵抗コンタクトを可能にする。【構成】 半導体基板11上に第1の絶縁膜12および第2の絶縁膜13を堆積してエッチングによってコンタクト14を形成する。次に、第2の絶縁膜13を堆積した後エッチバックを施してコンタクト14内にサイドウォール15を形成する。次に、第2の絶縁膜13,サイドウォール15及びコンタクト14内の半導体基板11の表面にスパッタ法によって低抵抗導電性薄膜16を堆積し、更に低抵抗金属材料薄膜17を堆積してコンタクト14内を埋め尽くす。こうして、サイドウォール15での補強によって拡散バリアの段差被覆性を向上させ、優れた拡散バリア性を有する低抵抗コンタクトを形成する。

請求項（抜粋）：

表面が絶縁膜によって部分的に被覆された半導体基板上に低抵抗金属材料薄膜を形成して、上記半導体基板と低抵抗金属材料薄膜とを上記半導体基板の開口部において電気的に接触させる半導体装置の製造方法において、表面が第1の絶縁膜によって部分的に被覆された上記半導体基板上に第2の絶縁膜を堆積した後にエッチバックして、上記開口部を形成する上記第1の絶縁膜の側面に上記第2の絶縁膜によるサイドウォールを形成する工程と、少なくとも上記サイドウォールおよび開口部における半導体基板の表面に低抵抗導電性薄膜を堆積する工程と、上記低抵抗導電性薄膜上に上記低抵抗金属材料薄膜を堆積する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 301 Z