特許

J-GLOBAL ID：200903079516466058

回路基板とその製造方法

発明者： 金城 芳雄
出願人/特許権者： 有限会社ナウケミカル
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048823
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075238
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 導電性が優れている回路パターンを備えた回路基板を提供する。【構成】 基板の上にAlの薄層回路を形成し、この薄層回路の上に無電解Niめっき層回路を形成したのち電解めっき法で金属または合金の電解めっき層回路を形成する。電解めっき法は、pH3〜10のめっき浴を用いて行われる。金属としては、Cu、Ni、Au、Ag、In、合金としてはPd-Sn合金、Pd-Ni合金が用いられる。【効果】 用いるめっき浴が弱酸性、中性または弱アルカリ性であるため、基板とその上に形成されているAl薄層回路のいずれも侵蝕されず、回路パターンと基板との密着性は良好である。また、電解めっき層の厚みを変化させることが容易であり、しかもめっきの堆積速度は大きいので、任意の導電性を有する回路パターンを低コストで形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の表面に形成されているAl薄層回路と、前記Al薄層回路の上に形成されている無電解Niめっき層と、前記無電解Niめっき層の上に形成されている少なくとも1層の電解めっき層とを必須として備えていることを特徴とする回路基板。

IPC (3件)：

H05K 3/24 ,  C25D 7/00 ,  H01L 23/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭49-115783
  
• 特開昭57-152191
  
• 特開昭62-186588