特許

J-GLOBAL ID：200903079518559908

ドライエッチング方法および装置

発明者： 山田 博
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-156515
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004085
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 プラズマを使用して半導体基板のエッチングを行うドライエッチング方法および装置に関し、チャージアップに起因するゲート電極下の絶縁層の静電破壊を防止することを課題とする。【解決手段】 接地されたチャンバ1とその内部に設けられた基板支持台2との間にプラズマ8を発生させ、発生したプラズマ8を、基板支持台2上の半導体基板5に照射するようにするドライエッチング装置における基板支持台2に、RF交流電源6から高周波交流電流を供給して直流セルフバイアスを発生させ、基板支持台2を第1の所定時間に亘って負に帯電させる工程と、基板支持台2に直流電源7から直流電流を供給して基板支持台2を第2の所定時間に亘って正に帯電させる工程とから成る。

請求項（抜粋）：

接地された筐体とその内部に設けられた基板支持台との間にプラズマを発生させ、発生したプラズマを、前記基板支持台上の半導体基板に照射するようにするドライエッチング方法において、前記基板支持台に高周波交流電流を供給して直流セルフバイアスを発生させ、前記基板支持台を第1の所定時間に亘って負に帯電させる工程と、前記基板支持台に直流電流を供給して前記基板支持台を第2の所定時間に亘って正に帯電させる工程と、を有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/68 N