特許
J-GLOBAL ID:200903079522539482

発光素子および発光素子アレイ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大野 精市
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-121986
公開番号(公開出願番号):特開2001-308375
出願日: 2000年04月24日
公開日(公表日): 2001年11月02日
要約:
【要約】【課題】発光サイリスタアレイでは、サイリスタ機能を優先しなければならないため、pnpn4層構造の条件が発光出力を最大とする条件とは必ずしも一致しない。また、pnpn構造内部で発光した光が外部に出射するまでに、光吸収や光散乱などの影響を受けやすく、外部光出射効率が悪い。【解決手段】pnpnpn6層半導体構造の発光素子を構成し、両端のp型第1層とn型第6層、および中央のp型第3層およびn型第4層に電極を設ける。pn層に発光ダイオード機能を担わせ、pnpn4層にサイリスタ機能を担わせる。この素子を半導体基板上に複数形成し1次元もしくは2次元配列して発光素子アレイを構成できる。
請求項(抜粋):
第1の導電型半導体基板上に第1の導電型第1層、第2の導電型第2層、第1の導電型第3層、第2の導電型第4層、第1の導電型第5層、第2の導電型第6層を順に積層し、前記基板または第1層の外表面、および第3層表面、第4層の第5層と接する側の表面、第6層外表面にそれぞれ電極を設けた発光素子。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  H01L 29/74
FI (3件):
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 J ,  H01L 29/74 E
Fターム (9件):
5F005BA01 ,  5F005FA03 ,  5F041BB13 ,  5F041CA07 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CB22 ,  5F041FF06 ,  5F041FF13
引用特許:
審査官引用 (15件)
  • 特開昭52-071184
  • 特開昭52-071184
  • 面形光スイッチアレイ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-096023   出願人:日本電信電話株式会社
全件表示

前のページに戻る