特許

J-GLOBAL ID：200903079523600967

絶縁膜形成材料、並びにこれを用いた絶縁膜形成方法及び半導体装置

発明者： 中田 義弘 ,  福山 俊一 ,  片山 倫子 ,  山口 城
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-196064
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040554
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 多層配線構造において低誘電率で且つ信頼性の高い優れた絶縁膜の形成を可能にする材料を提供し、またこの材料を用いて多層配線の絶縁膜を形成する方法及びその絶縁膜を含む半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の絶縁膜形成材料は、Si8 の籠型構造のシロキサンを50vol%以上含むシロキサン組成物からなる。絶縁膜を形成するためには、基板上にこの材料から形成した被膜を300°C以下の温度及び300°Cより高く450°C以下の温度でそれぞれ熱処理するか、あるいは被膜に300°C以下の温度で紫外線を照射するか、あるいは被膜に300°C以下の温度で紫外線を照射しそして300°Cより高く450°C以下の温度で熱処理を施す。

請求項（抜粋）：

下式【化1】(この式中のRは、それぞれ独立に、水素、フッ素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルケニル基、あるいはフェニル基である)で表されるSi8の籠型構造のシロキサンを50vol%以上含むシロキサン組成物からなることを特徴とする絶縁膜形成材料。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 S