特許

J-GLOBAL ID：200903079540826618

結晶成長装置

発明者： 久保 高行 ,  宮原 俊二 ,  藤原 俊幸 ,  藤原 秀樹 ,  稲見 修一
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-018558
公開番号（公開出願番号）：特開平5-024971
出願日： 1991年02月12日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】るつぼ21の外層保持容器21bの内表面に凹凸25を形成することにより、結晶用原料の溶融時に内層容器11aを上記凹凸25に従って変形させる。このことによって内層容器11aの内表面積が大きくなり、内層容器11aの内表面と溶融層17の溶融液との接触面積が大きくなる。従って引き上げた単結晶16に取り込まれる酸素濃度を増大させることができ、また外層保持容器21bの内表面の凹凸25の形成具合を制御することによって、引き上げた単結晶16に取り込まれる酸素濃度を制御することができる。さらに内層容器11a内表面の変形によって、溶融層17下部の固体層18が係止され、単結晶16引き上げ中における固体層18の浮上を防止することができるため、品質がより向上した単結晶16を製造することができる。

請求項（抜粋）：

石英製の内層容器と該内層容器を保持する黒鉛製の外層保持容器とから構成され、前記内層容器内に結晶用原料が充填されるるつぼを備えた結晶成長装置において、前記外層装保持容器の内表面に凹凸が形成されていることを特徴とする結晶成長装置。

IPC (2件)：

C30B 15/12 ,  H01L 21/208