特許

J-GLOBAL ID：200903079543409406

SiC単結晶およびその成長方法

発明者： 塩見 弘 ,  木本 恒暢 ,  松波 弘之
出願人/特許権者： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  三菱商事株式会社 ,  住友電気工業株式会社
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 (外3名) ,  長谷川 芳樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364593
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181095
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】 表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥が低減されたSiC単結晶およびその成長方法を提供すること。【解決手段】 SiC単結晶を成長させる方法であって、{0001}面に対して角度α(20 ゚<α<60 ゚)だけずれ、且つ、その法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルと<11-20>方向とのなす角度βが15 ゚以内である面30uを露出させたSiC単結晶からなる種結晶30上に、SiC単結晶40を成長させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

SiC単結晶を成長させる方法であって、{0001}面に対して角度α(20 ゚<α<60 ゚)だけずれ、且つ、その法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルと<11-20>方向とのなす角度βが15 ゚以内である面を露出させたSiC単結晶からなる種結晶上に、SiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077SA04