SiC単結晶およびその成長方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (2件)：長谷川芳樹 (外3名) , 長谷川芳樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364593
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181095
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥が低減されたSiC単結晶およびその成長方法を提供すること。【解決手段】 SiC単結晶を成長させる方法であって、{0001}面に対して角度α(20 ゚<α<60 ゚)だけずれ、且つ、その法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルと<11-20>方向とのなす角度βが15 ゚以内である面30uを露出させたSiC単結晶からなる種結晶30上に、SiC単結晶40を成長させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

SiC単結晶を成長させる方法であって、{0001}面に対して角度α(20 ゚<α<60 ゚)だけずれ、且つ、その法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルと<11-20>方向とのなす角度βが15 ゚以内である面を露出させたSiC単結晶からなる種結晶上に、SiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 , C30B 23/00

FI (2件)：

C30B 29/36 A , C30B 23/00

Fターム (6件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA18 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077SA04

引用特許：

出願人引用 (2件)

6H-SiC単結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-174952 出願人：新日本製鐵株式会社
特許第2804860号

引用文献：

出願人引用 (2件)

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