特許

J-GLOBAL ID：200903079547549318

Al合金薄膜およびAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： 高木 勝寿 ,  大西 隆 ,  岩村 栄治 ,  山本 正剛 ,  吉川 一男
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 明田 莞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-096597
公開番号（公開出願番号）：特開平7-301705
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 Al合金薄膜およびAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲットの提供【構成】 合金成分として周期率表IIIa(Sc,Y ,La,Pr,Nd, Sm,Gd,Tb,Dy),IVa 族(Ti,Zr,Hf),Va族(V ,Nb,Ta),VIa 族(Cr,Mo,W ),VIIa族(Mn,Tc,Re),VIII族(Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt)の遷移元素のうちの1種以上を、合計で 0.1〜10at%含有するAl合金よりなることを特徴とするAl合金薄膜と、その薄膜形成用スパッタリングターゲット。【効果】 レーザー光反射膜としての耐食性に優れ、高い反射率を有する。

請求項（抜粋）：

合金成分として周期率表IIIa族(Sc、Y 、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy)、IVa 族(Ti、Zr、Hf)、Va族(V 、Nb、Ta)、VIa 族(Cr、Mo、W )、VIIa族(Mn、Tc、Re)、VIII族(Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt)の遷移元素のうちの1種以上を、合計で 0.1〜10at%含有するAl合金よりなることを特徴とするAl合金薄膜。

IPC (4件)：

G02B 5/08 ,  C22C 21/00 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34