特許

J-GLOBAL ID：200903079548889309

半導体装置の製造方法

発明者： 三田 恵司 ,  岡部 克也
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291585
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140353
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 洗浄水内の溶存酸素との反応で自然酸化膜を形成することにより、シリコンノジュールの発生を防止してコンタクト抵抗の低減を図る。【構成】 コンタクトホールを形成したウエハをプリエッチし、洗浄水で満たした洗浄槽に浸して水洗を行う。その際洗浄水に酸素(O2)を供給し、溶存酸素によってコンタクトホール内に極く薄い自然酸化膜16を形成する。続いてAl-Siの堆積とホトエッチングにより電極17を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体表面を被覆する絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内に生じた自然酸化膜を除去するためにウエットエッチングを行う工程と、前記エッチング液を洗い流すために水洗を行う工程と、を具備する半導体装置の製造方法において、前記水洗工程の洗浄水内に酸素を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/304 341