特許

J-GLOBAL ID：200903079551608205

X線マスク構造体とその製造方法、及び該X線マスク構造体を用いたX線露光方法及びX線露光装置と該X線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法

発明者： 千葉 啓子 ,  是永 伸茂 ,  宮地 剛司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046220
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254553
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【構成】 X線吸収体と該吸収体を支持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠からなるX線マスク構造体の製造方法において、前記保持枠が単結晶Siからなり、露光装置内での基準面を異方性エッチングにより保持枠に形成することを特徴とするX線マスク製造方法およびそれによって得られたX線マスク構造体。【効果】 露光装置内での高精度なマスク位置決めよう基準面の加工が可能となり、露光装置内において、チャッキング中や搬送中に歪みを生じることなく、マスク位置決め、及び保持を行うことができた。また合時に線膨張率の差による歪みが発生することなく、経時的にも温湿度にも安定な高度な位置精度を持ったX線マスクを作製することができ、露光装置内において、チャッキング中や搬送中に歪みを生じることなく、マスク位置決め、及び保持を行うことができた。また、補強体を別に作製することにより、加工精度の確認及び選択、加工時間の短縮を図ることができる。

請求項（抜粋）：

X線吸収体と該吸収体を支持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠からなるX線マスク構造体の製造方法において、前記保持枠が単結晶Siからなり、露光装置内での基準面を異方性エッチングにより保持枠に形成することを特徴とするX線マスク製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16