特許
J-GLOBAL ID：200903079554680870
ベーキング装置及びベーキング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101350
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299335
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ベーキングの際に生じる気泡によるレジスト膜の穴を防ぐベーキング装置及びベーキング方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明によれば、ベーキングの際に硬化したウェハ11上のレジストの表面を、電極24、25間で発生させた酸素プラズマで僅かにエッチングした後に、加熱用ヒータ28に通電して再ベークし、これを繰り返すので、レジスト内部に溶剤が残ったままの状態で表面が硬化してしまった場合でも、これによりレジスト内の溶剤を完全に揮発させることができる。この結果、後の工程で熱が加わっても気泡等が発生せず半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
請求項（抜粋）：
フォトレジストが塗布された処理すべきウェハが内部にセットされる真空チャンバと、前記真空チャンバ内への酸素及び窒素の供給量を制御する供給量制御系と、前記真空チャンバ内を排気する真空ポンプと、前記真空チャンバ内に設けられた前記ウェハの加熱及び冷却を制御する温度制御系と、前記真空チャンバ内に設けられた一対の電極間への高周波電力の印加による酸素プラズマの生成を制御する電力制御手段と、前記真空チャンバ内を不活性ガス雰囲気として前記ウェハを加熱するよう前記供給量制御系及び温度制御系を制御し、次いで前記真空チャンバ内を酸素含有雰囲気として前記ウェハを冷却するよう前記供給量制御系、温度制御系及び真空ポンプを制御し、次いで前記酸素プラズマが生成されるよう前記電力制御手段を制御するシーケンスを所定回数だけ繰り返させる中央処理装置とを備えることを特徴とするフォトレジストのベーキング装置。
FI (2件)：
H01L 21/30 361 H
, H01L 21/30 361 G
