特許

J-GLOBAL ID：200903079565773853

半導体装置

発明者： 伊東 貴子
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269666
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110071
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 高耐圧トランジスタの微細化をはかり、ソース、ドレイン間の耐圧をじょうしょうさせる。【構成】 本発明は半導体基板上に形成された高耐圧が得られるトランジスタにおいて2つ以上に分割されたゲート電極と、前記分割されたゲート電極間のシリコン基板に薄い不純物領域を有すことを特徴とする。【効果】 前記の半導体装置をもちいることにより、従来の高耐圧トランジスタに比べ飛躍的に微細化することが出来る。また、薄い不純物領域を縮小できるため電流駆動能力の低減を防ぎ、ソース、ドレイン間の耐圧を上昇させることができる。更に濃い不純物領域の形成時に自己整合法にて不純物を打ち込むことが出来るので、工程数を減らすことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたMOS型ライトリー・ドープド・ドレイントランジスタにおいてゲート電極が少なくともソース、ドレイン間で2つ以上に分離されていて、上記ゲート電極間のシリコン基板には薄い不純物領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 L