伝導度変調型MOSFETおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220817
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063201
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】高抵抗層内のターンオフ時に形成された空乏層領域と逆導電型、高不純物濃度のコレクタ層あるいはバッファ層にはさまれた領域に蓄積したキャリアをすばやく再結合消滅させてターンオフ時のテイル電流を小さくするが、オン電圧の増大を抑える。【構成】高抵抗層のそのコレクタ層あるいはその間のバッファ層に近接する部分を結晶欠陥に富む層とすることにより、ターンオフ時の電圧上昇が終了した時点で過剰キャリアの蓄積される層部分内のみライフタイムを低減し、効率よく蓄積キャリアを再結合消滅させる。そのような結晶欠陥に富む層は、基板上に高抵抗層の一部を直接あるいはバッファ層を介して積層したのち、ガス原子をその部分に拡散させ、熱処理により析出物を析出させることにより容易に形成でき、その上に残りの高抵抗層を積層する。

請求項（抜粋）：

低不純物濃度で第一導電型の第一層、その一面側に隣接する高不純物濃度で第二導電型の第二層、第一層の他面側の表面層内に選択的に形成された第二導電型の第一領域およびその第一領域の表面層内に選択的に形成された高不純物濃度で第一導電型の第二領域からなる半導体基体の第二領域および第一層露出部にはさまれた第一領域表面上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備え、エミッタ電極が第一領域および第二領域に共通に接触し、コレクタ電極が第二層に接触するものにおいて、第一層の第二層との界面に近接した部分に所定の厚さの結晶欠陥に富む層を備えたことを特徴とする伝導度変調型MOSFET。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 29/78 321 J , H01L 29/78 321 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-199469
特開昭64-017476
特開昭64-019771

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