特許
J-GLOBAL ID：200903079567661360
単結晶SiC及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 恭弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-244636
公開番号（公開出願番号）：特開2009-073696
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】従来にない極めて高品質で大面積の単結晶SiCを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶SiC製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶SiCを提供する。【解決手段】SiC種結晶が固定されたサセプタ5及び原料供給管6を坩堝2内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝2内に単結晶SiC製造用原料を不活性ガスAと共にSiC種結晶4上に供給してSiC単結晶9を成長させる成長工程を含み、単結晶SiC製造用原料として、SiC粒子、SiO2粒子及びカーボン粒子の原料3成分を供給する工程を含み、原料供給管6先端の内径がSiC種結晶4の結晶径の80%以上となるように加工されている単結晶SiCの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
高温加熱保持することができる坩堝内に、SiC単結晶を成長させるためのSiC種結晶、及び、単結晶SiC製造用原料を供給するための原料供給管を配置する配置工程、並びに、
高温雰囲気とした該坩堝内に該単結晶SiC製造用原料を不活性ガスと共に原料供給管を通して供給してSiC単結晶を成長させる成長工程を含み、
該成長工程において、単結晶SiC製造用原料として、SiC粒子、SiO2粒子及びカーボン(C)粒子の原料3成分を供給する工程を含み、
該原料供給管先端の内径がSiC種結晶の結晶径の80%以上となるように加工されていることを特徴とする
単結晶SiCの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CA01
, 4G077CA03
, 4G077CA08
, 4G077CA09
, 4G077EA02
, 4G077EA06
, 4G077EC07
, 4G077EG22
, 4G077EG25
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077JA02
, 4G077JA05
, 4G077JA08
, 4G077JB01
, 4G077JB02
, 4G077JB06
, 4G077JB12
