特許
J-GLOBAL ID:200903079569090068
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小玉 秀男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-308625
公開番号(公開出願番号):特開2002-118215
出願日: 2000年10月10日
公開日(公表日): 2002年04月19日
要約:
【要約】【課題】 放熱能力に優れ、しかも、ボンディングワイヤの長さが短くて済む半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置20Aは、プリント基板40と、このプリント基板40上に実装された電界効果トランジスタ(半導体素子)32と、プリント基板40上に電界効果トランジスタ32と並置されて実装された放熱ブロック28a、bと、電界効果トランジスタ32と放熱ブロック28a、bをそれぞれ接続するボンディングワイヤ26a、bとを備えている。
請求項(抜粋):
プリント基板と、このプリント基板に実装された半導体素子と、この半導体素子と並置されてそのプリント基板に実装された放熱ブロックと、前記半導体素子と前記放熱ブロックを接続するボンディングワイヤとを備えた半導体装置。
IPC (2件):
FI (3件):
H05K 7/20 E
, H05K 7/20 B
, H01L 23/36 Z
Fターム (11件):
5E322AA11
, 5E322AB02
, 5E322AB07
, 5E322FA04
, 5E322FA06
, 5F036AA01
, 5F036BA14
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BB08
, 5F036BC33
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