特許

J-GLOBAL ID：200903079569359261

スパッタリング成膜装置

発明者： 村田 正義 ,  竹内 良昭 ,  内田 聡 ,  浜本 員年
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164844
公開番号（公開出願番号）：特開平6-002123
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：

【要約】【目的】大面積の成膜が可能なスパッタリング成膜装置を提供する。【構成】反応容器1内に、放電用電極の陽極2として複数の長尺平板電極を、陰極5として複数の長尺円筒形電極と交互に対向して設置し、かつスパッタリング用ターゲット材4を長尺円筒形電極5表面に固着させるとともに、2枚の基板3a、3bを、対向設置された陽極2及び陰極5を挟むように設置し、反応容器1を囲むように放電用電極間に働く電界とほぼ直交する向きの磁界を発生するコイル100を設置し、そのコイル100に交流電力を供給する電源101を有する。

請求項（抜粋）：

反応容器と、該反応容器内に不活性ガスまたは反応ガスを導入し、排出する手段と、該反応容器内に収納された放電用電極と、該放電用電極に電力を供給する電源と、スパッタリング用ターゲット材とを有し、反応容器内に設置された基板表面にスパッタリングによる薄膜を形成する成膜装置において、上記放電用電極の陽極として複数の長尺平板電極を、陰極として複数の長尺円筒形電極と交互に対向して設置し、かつスパッタリング用ターゲット材を上記長尺円筒形電極表面に固着させるとともに、2枚の基板を、上記対向設置された陽極及び陰極を挟むように設置したことを特徴とするスパッタリング成膜装置。