特許

J-GLOBAL ID：200903079573220715

集積回路誘電体及びその製法

発明者： チャンミン ジン ,  ジョゼフ ディ-.ルトマ-
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148665
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091330
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 最小間隙中では本質的に100%の気孔率を持つがバルク領域中では低い気孔率を有する、多段集積回路誘電体として用いられる機械的強度を与えるシリカキセロゲル誘電体を与える。【解決手段】 重合体前駆物質を含有する溶液の溶媒蒸発中の相分離は、最小間隙中に重合体前駆物質のない低圧溶媒を残す。重合後、その低圧溶媒を除去して重合体下の最小間隙中に空気間隙を生成させる。

請求項（抜粋）：

(a) 表面に間隙を与え、(b)重合体前駆物質、第一溶媒及び第二溶媒を含む溶液であって第二溶媒が第一溶媒よりも低い蒸気圧を有する上記溶液を、前記表面に被覆し、(c) 第一溶媒を蒸発させて相分離を起こさせ、前記間隙に前記重合体前駆物質を含まない第二溶媒を存在させ、(d) 前記重合体前駆物質を重合し、次いで(e) 前記間隙から第二溶媒を除去する、諸工程からなる、誘電体の製法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/283 B ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 K