特許

J-GLOBAL ID：200903079581385383

LSIのオーミックコンタクト部形成方法およびLSI

発明者： 久保田 邦親 ,  平川 英司 ,  平木 明敏
出願人/特許権者： 日立金属株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-359885
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204169
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 均一なチタンシリサイド層と厚い窒化チタン層が得られるオーミックコンタクト部形成方法および新規な拡散防止層構造を有するLSIを提供する。【構成】 本発明の方法はチタンに対する窒素の原子量比が1未満のターゲットを用いてスパッタリングを行い、チタンに対する窒素の原子量比が1未満の組成を有する薄膜をシリコン上に成膜し、次いで加熱処理を行ってチタンシリサイド層を形成するとともに、薄膜表層側に窒化チタン化合物層を形成することを特徴とするLSIのオーミックコンタクト部形成方法である。また本発明のLSIは窒化チタン層とチタンシリサイド層を合わせた層厚が1500オングストローム以下であって、窒化チタン層とチタンシリサイド層の層厚比が0.7以上である拡散防止層をオーミックコンタクト部に有することを特徴とするLSIである。

請求項（抜粋）：

実質的にチタンと窒素からなり、チタンに対する窒素の原子量比が1未満のターゲットを用いてスパッタリングを行い、チタンに対する窒素の原子量比が1未満の組成を有する薄膜をシリコン上に成膜し、次いで加熱処理を行って前記薄膜とシリコンとを反応させ、前記薄膜のシリコン側にチタンシリサイドを形成することを特徴とするLSIのオーミックコンタクト部形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-292729