特許

J-GLOBAL ID：200903079583133985

半導体スイッチング回路

発明者： 菅山 茂 ,  志村 辰男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225807
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077801
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体スイッチにおいて、負荷の種類や半導体スイッチに印加される電圧条件に無関係に、オン、オフのフロ-ティング駆動を行うこと。【構成】 本発明による半導体スイッチ回路は、半導体スイッチとしてのNMOSFET2、3のの駆動信号入力端子間に並列接続された抵抗器1の一端に定電流を流出する定電流源51及び前記抵抗器1の他の一端から前記一定電流と絶対値で等しい一定電流を吸い込む定電流源52を有している。定電流源51から抵抗1に向けて流れ出す電流と、定電流源52に流れ込む電流の絶対値を等しくすることによりNMOSFET2、3がフロ-ティング状態でオン駆動され、圧電素子54に発生する交流信号は、抵抗器53に伝達される。

請求項（抜粋）：

各ドレイン端子を各々、独立した出力端子とする、逆極性で直列接続された一対のMOSFETで構成される半導体スイッチと、該半導体スイッチを構成する一対のMOSFETのゲート・ソース間に並列接続される抵抗素子と、該抵抗素子の一端に接続され一定電流を流出する第1の電流源と、前記抵抗素子の他端に接続され前記第一の電流源より流出される電流と絶対値で等しい一定電流を吸い込む第2の電流源と、前記第1、第2の電流源を動作状態にすることにより生成される前記抵抗素子の両端間電圧により前記一対のMOSFETをオン駆動し、前記第1、第2の電流源を非動作状態にすることにより前記一対のMOSFETをオフ状態にする制御手段とを有することを特徴とする半導体スイッチング回路。