特許

J-GLOBAL ID：200903079583461621

半導体素子における配線構造とその製造方法

発明者： 滝沢 正明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-161708
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017860
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 吸湿防止を行いつつ配線容量の上昇を抑える構造と、このような構造を実現するための製造方法を提供する。【構成】 基体上に設けられた下層層間絶縁膜10の上に複数列の配線13が形成され、配線13を覆って下層層間絶縁膜10の上に上層層間絶縁膜19が形成された、半導体素子における配線構造である。配線13が下層層間絶縁膜10上に下層低透水性絶縁膜11aを介して配設されている。配線13の上面および両側面が低透水性絶縁膜18によって被覆されている。下層低透水性絶縁膜11aおよび低透水性絶縁膜18が、共に配線13間で連続することなく、各配線毎に独立して形成されている。また、この配線構造を得る製造方法。

請求項（抜粋）：

基体上に設けられた下層層間絶縁膜の上に複数列の配線が形成され、該配線を覆って前記下層層間絶縁膜の上に上層層間絶縁膜が形成されてなる、半導体素子における配線構造であって、前記配線が前記下層層間絶縁膜上に下層低透水性絶縁膜を介して配設され、かつ該配線の上面および両側面が低透水性絶縁膜によって被覆されてなり、前記下層低透水性絶縁膜および低透水性絶縁膜が、共に前記配線間で連続することなく、各配線毎に独立して形成されてなることを特徴とする半導体素子における配線構造。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/90 J ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-174541
  
• 特開平3-237745
  
• 特開平4-174541
  
• 特開平3-237745