特許

J-GLOBAL ID：200903079586004655

光集積回路および第2次高調波発生装置

発明者： 松田 薫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007252
公開番号（公開出願番号）：特開平6-214129
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 ハイブリッド光集積回路の放熱をよくし、熱サイクルによるはがれや光軸ずれをなくす。【構成】 SiC、AlN、もしくはダイヤモンド基板上に半導体レーザおよび光部品をハイブリッド集積化した光集積回路、前記基板上にLiNbO3もしくはLiTaO3導波路よりなる第2次高調波発生素子と半導体レーザをハイブリッド集積化した第2次高調波発生装置とする。

請求項（抜粋）：

SiC基板上に半導体レーザおよび光学部品をハイブリッド集積化したことを特徴とする光集積回路。

IPC (4件)：

G02B 6/12 ,  G02F 1/37 ,  H01L 27/15 ,  H01S 3/109

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-297632
  
• 特開昭63-271207
  
• 特開平1-140104