特許
J-GLOBAL ID：200903079591239849
光半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134496
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350196
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 発光部から受光部への内部帰還光によって双安定動作を実現する光半導体素子に関し、素子作製以後でも内部帰還光量を容易に制御でき、安定して所望の光双安定動作が得られることを目的とする。【構成】 垂直共振器型面発光レーザ102上に異種接合ホトトランジスタ103を集積している。そしてその異種接合ホトトランジスタ103には逆方向電圧が印加される接合であるnコレクタ層103aとpベース層103bの間に内部帰還光108を吸収することのできるi多重量子井戸103dを設けている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された発光素子と、前記発光素子に接して形成された受光素子とを有し、前記受光素子の逆方向電圧が印加される接合に前記発光素子からの発光を吸収する多重量子井戸を有することを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
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