特許

J-GLOBAL ID：200903079594609515

複合材保護層を形成するための方法及び装置

発明者： アリ・サイド・ファーリード ,  ニクヒル・シュリニヴァス・ミラジ
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (4件)： 松本 研一 ,  小倉 博 ,  黒川 俊久 ,  荒川 聡志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-242822
公開番号（公開出願番号）：特開2007-070222
出願日： 2006年09月07日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】セラミック複合材における酸化を減少させる方法を提供する。【解決手段】本方法は、第1の化学蒸気浸透(CVI)プロセスを用いて物品の少なくとも一部分上に炭化ケイ素(SiC)マトリックスの第1の部分を堆積させるステップ(130)と、第2のCVIプロセスを用いてSiCマトリックスの少なくとも一部分内にケイ素(Si)ドープ窒化ホウ素(BN)層を堆積させるステップ(140)と、第3のCVIプロセスを用いてSiCマトリックスの第1の部分の少なくとも一部内に又は該第1の部分に連続してSiCマトリックスの第2の部分を堆積させるステップ(150)とを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

セラミック複合材における酸化を減少させる方法であって、 第1の化学蒸気浸透(CVI)プロセスを用いて物品の少なくとも一部分上に炭化ケイ素(SiC)マトリックスの第1の部分を堆積させるステップ(130)と、 第2のCVIプロセスを用いて前記SiCマトリックスの少なくとも一部分内にケイ素(Si)ドープ窒化ホウ素(BN)層を堆積させるステップ(140)と、 第3のCVIプロセスを用いて前記SiCマトリックスの第1の部分の少なくとも一部内に又は該第1の部分に連続してSiCマトリックスの第2の部分を堆積させるステップ(150)と、 を含む方法。

IPC (4件)：

C04B 41/89 ,  C04B 41/87 ,  C04B 35/80 ,  C23C 16/42

FI (4件)：

C04B41/89 K ,  C04B41/87 G ,  C04B35/80 K ,  C23C16/42

Fターム (5件)：

4K030BA37 ,  4K030BA39 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01

引用特許：

出願人引用 (13件)

• 米国特許4642271号明細書
  
• 米国特許6707877号明細書
  
• 米国特許6824860号明細書
  
• 米国特許6838162号明細書
  
• 米国特許6622503号明細書
  
• 米国特許5026604号明細書
  
• 米国特許5472650号明細書
  
• 米国特許5894066号明細書
  
• 米国特許5990025号明細書
  
• 米国特許6069101号明細書
  
• 米国特許6083560号明細書
  
• 米国特許6228453号明細書
  
• 米国特許6537506号明細書
  

審査官引用 (1件)

• 耐食性の耐火性複合材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-308426   出願人：ソシエテヨーロペアンドウプロピユルシオン