特許
J-GLOBAL ID：200903079595821860
半導体装置の製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-353842
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188209
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 シングルチューブ構造の電気炉において大口径ウェーハを処理する時に流すガス流量を多くし、また排気部でのパーティクル発生を抑える。【構成】 未反応ガスを加熱炉1上方で1回以上、上下に蛇行29、30させかつ加熱10する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを加熱炉内の反応部で反応ガスの存在下で熱処理を行い、該反応室と連通する排気部から未反応ガスを排気する半導体装置の製造方法において、前記未反応ガスを前記加熱炉の上方で1回以上、上下に蛇行させかつ加熱し、前記反応部より実質的に上方から該未反応ガスを半導体製造装置外に流出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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