特許
J-GLOBAL ID：200903079596384146
半導体ウェハ表面の粗さの評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-230248
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078492
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 どの測定領域で粗さを測定しても、定量的に他の測定領域での表面の粗さを予測できる半導体ウェハ表面の粗さの評価方法を提供する。【構成】 シリコンウェハのフラクタル解析の結果、シリコンウェハの表面の粗さにはフラクタル性があることが見いだされた。したがって、どの測定領域においても一定のフラクタル次元を有することを確認すれば、ある測定領域で粗さを測定すれば、他の測定領域についてはフラクタル性を利用して容易に定量的に粗さを予測することが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの表面の複数の測定領域において粗さを測定し、その二乗平均平方根を求める工程と、前記複数の測定領域において求められた粗さの二乗平均平方根から半導体ウェハ表面の形状についてのフラクタル性を確認する工程と、前記半導体ウェハ表面の形状のフラクタル性から共通のフラクタル次元を有する測定領域を見いだす工程と、前記共通のフラクタル次元を有する測定領域について、一つの測定領域の粗さの二乗平均平方根から他の測定領域における粗さの二乗平均平方根を予測する工程と、を具備することを特徴とする半導体表面の粗さの評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01B 11/24
, G01N 21/88
