特許
J-GLOBAL ID：200903079601726867
マグネトロンプラズマエッチング方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073407
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234954
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ面内のエッチング速度均一性を著しく向上する。【構成】 ウェーハ載置電極2のウェーハ載置面から対向電極3までの間隔9を10mm以上150mm以下の任意の距離に設定し、かつウェーハ載置面から上方に100mm以上500mm以下の任意の位置に設定し永久磁石6の位置8を設定し、両電極2,3にそれぞれ位相差を調整して同一周波数の交流電力を独立に供給する。
請求項（抜粋）：
ウェーハ(7)を載置したウェーハ載置電極(2)とこれに対向する対向電極(3)にそれぞれ同一周波数の交流電力を供給し、同時に相対峙してN極とS極とを有する永久磁石(6)で形成される磁界を両電極(2,3)間に供給すると共にエッチングガスを供給して放電せしめ、ウェーハ(7)をプラズマエッチングするマグネトロンプラズマエッチング方法において、ウェーハ載置電極(2)のウェーハ載置面から対向電極(3)までの間隔(9)を10mm以上150mm以下の任意の距離に設定し、かつウェーハ載置面から上方に100mm以上500mm以下の任意の位置に永久磁石(6)の位置(8)を設定し、両電極(2,3)にそれぞれ位相差を調整して同一周波数の交流電力を独立に供給することを特徴とするマグネトロンプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
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