特許
J-GLOBAL ID：200903079603022700
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-294381
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135640
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 P型MOSトランジスタのドレインとN型MOSトランジスタのドレインとを、アルミ配線を用いずに、しかも、耐圧等のデバイス特性を劣化させずに接続し、アルミ配線数増加を抑制する。【解決手段】 N型MOSトランジスタのドレインとP型MOSトランジスタのドレインとを拡散層上に形成された金属シリサイド層により電気的に接続し、かつ、N型MOSトランジスタのドレイン領域とP型MOSトランジスタのドレイン領域を結ぶ拡散層の直下に素子分離領域、N型MOSトランジスタのドレインおよびP型MOSトランジスタのドレインと重なり合って接する絶縁埋込層を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成される相補型MOSFETにおいて、N型MOSトランジスタのソース領域またはドレイン領域とP型MOSトランジスタのソース領域またはドレイン領域が両者を拡散層上に形成された金属シリサイド層により電気的に接続され、前記N型MOSトランジスタのソース領域またはドレイン領域とP型MOSトランジスタのソース領域またはドレイン領域を結ぶ拡散層の直下に絶縁埋込層を有し、前記絶縁埋込み層の周端部は素子分離領域の絶縁膜および前記N型MOSトランジスタのソース領域またはドレイン領域のN型高濃度不純物領域と前記P型MOSトランジスタのソース領域またはドレイン領域のP型高濃度不純物領域と重なり合って接することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
