特許
J-GLOBAL ID：200903079608557416
多段位相シフトレチクルの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203923
公開番号（公開出願番号）：特開平6-051491
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 シフター膜厚の制御が容易で且つシフターのプロファイルが良好であると共に、膜質も良く、同一透過部内の位相の乱れが少ない位相シフトレチクルを製造する方法を提供する。【構成】 ガラス基板1上に例えばITO等の導電性膜6を形成し、その上にスピンコート法によりSiO2膜2を形成する。この工程を所定回数繰り返す。但し、SiO2膜2の膜厚は成膜回数及び露光光の波長により決める。SiO2膜2の上にレジスト3を塗布し、露光・現像工程によりレジストパターンを形成した後、SiO2膜2を導電性膜層6に到達するまでエッチングする。この工程を前記成膜工程と同一の回数だけ繰り返す。そして、レジスト3を剥離すると、透過型多段位相シフトレチクルが得られる。
請求項（抜粋）：
透過する光に位相差を与える位相シフトレチクルの製造方法において、レチクル基板上にSiO2膜を形成する工程と、このSiO2膜上に第1のパターンでレジストを形成する工程と、前記第1パターンのレジストをマスクとして前記SiO2膜を所定の膜厚までエッチングする工程と、このエッチング後のSiO2膜の上に再度レジストを前記第1のパターンとは異なる第2のパターンで形成する工程と、前記第2パターンのレジストをマスクとして前記SiO2膜を所定の膜厚までエッチングする工程と、これらのレジストパターンの形成及びSiO2のエッチングの工程を所定の段数だけ繰り返した後、前記レジストを剥離する工程とを有することを特徴とする多段位相シフトレチクルの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/302
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
, H01L 21/30 361 R
