特許

J-GLOBAL ID：200903079615362035

メモリモジユール

発明者： 高木 祐一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212509
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055450
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 積層型のメモリモジュールにおいて、工程を増やすことなく、電源のインピーダンスを大幅に低下させ、信号の反射によるノイズの発生を防止してメモリ特性の向上を図る。【構成】 最上層に積層されるメモリ装置ユニット11の電源線に、電源強化用コンデンサCを接続した状態で内蔵させると共に、メモリチップ14に対応するアドレスライン,データライン,コントロールラインの夫々に終端抵抗R1,R2を接続した状態で、メモリ装置ユニットに内蔵させる。終端抵抗R1,R2は、印刷抵抗,チップ抵抗等を設けることが出来る。斯る構成としたことにより、電源のインピーダンスを大幅に低下させ、電流パスの悪影響を防止することが出来る。また、信号の反射によるノイズの発生を防止し、特性の劣化を防止出来る。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の一側表面に凹部を形成し、該凹部内にメモリチップを収納,配設すると共に、前記絶縁基板の表面の周縁部に接続端子を複数設け、該端子と前記メモリチップの電極とを夫々接続してなるメモリ装置ユニットを複数積層してなるメモリモジュールにおいて、前記メモリ装置ユニットの一つに電源強化用コンデンサ、及び終端抵抗が内蔵されていることを特徴とするメモリモジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/00 ,  H01L 23/12