特許

J-GLOBAL ID：200903079616083067

半導体装置の製造方法

発明者： 戸島 宏至 ,  臼井 孝公
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-264010
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112445
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】金属膜からなる配線のアニール処理時に配線材料の金属結晶の粒径を均一に且つ大粒径になるように成長させて、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜1上にアルミニウム膜2を形成し、その後、このアルミニウム膜2からなる配線4を形成する。次に、この配線4上に、スパッタリング法によりPbTiO3膜5を形成し、アニール処理をおこなって配線4中のアルミニウム結晶の粒径を成長させる。その後、PbTiO3膜5を除去する。また、多層配線形成時の上層配線を形成した後に、PbTiO3膜5を形成し、アニール処理をおこなうことも可能である。また、PbTiO3以外に、CuOFe2O3、Cu-Zr等の二次の相転移を伴う物質を用いてもよい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に所定の温度で比熱が大きくなる物質を材料とした膜を形成する工程と、前記半導体基板をアニールする工程と、前記所定の温度で比熱が大きくなる物質を材料とした膜を除去する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/283 W ,  H01L 21/88 N