特許

J-GLOBAL ID：200903079617453135

半導体装置の製造方法

発明者： 五嶋 秀和 ,  小林 伸好 ,  中村 吉孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008959
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199445
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の配線工程に適用可能な窒化タングステン膜のCVD法を提供する。【解決手段】タングステンの有機化合物は250°C程度の低温から熱分解し、タングステンを生成する。そこで、タングステンの有機化合物とNH3 を原料に用いることにより、250-400°C程度の低温で窒化タングステンを形成することができる。また、アミノ基等の窒素を含む官能基を有するタングステンの有機化合物を原料に用いるとNH3 を用いなくても窒化タングステンを形成する。

請求項（抜粋）：

多層配線を有する半導体装置の製造方法において、電極配線の一部として用いる窒化タングステン膜を、タングステンの有機化合物,アンモニアおよびキャリアガスを含む混合ガスを用いた化学気相成長法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/90 C