特許
J-GLOBAL ID：200903079619609841
半導体集積回路の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146757
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326462
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 金属配線間または金属配線層と半導体基板間を接続するホール部の金属配線層の接続性を向上させる。【構成】 半導体基板1上に設けられホールを形成する層間絶縁層2の上部に開口径が上部から下部に向かって小さくなるテーパの開口6aを有するエッチングマスク6を形成した後、この層間絶縁膜2に対してエッチングマスク6のエッチングレートの方が大きくなるプロセス条件でエッチングを行い、エッチングマスク6の開口6aのテーパを反映したテーパを持つホール31 を層間絶縁層2の中間深さまで掘る。引き続きエッチングマスク6に対して層間絶縁層2のエッチングレートの方が大きくなるプロセス条件でエッチングを行って上部がほぼ垂直で下部にテーパを持つ形状のホール32 を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁層にスルーホールまたはコンタクトホールを形成する半導体集積回路の製造方法において、前記絶縁層上に開口径が上部から下部に向かって小さくなる開口を有するエッチングマスクを形成する工程と、前記絶縁層に対してエッチングマスクのエッチングレートが大きくなるプロセス条件でエッチングを行う第1のエッチング工程と、前記第1のエッチング工程に引き続いて前記エッチングマスクに対して前記絶縁層のエッチングレートが大きくなるプロセス条件でエッチングを行う第2のエッチング工程と、からなり、上部がほぼ垂直で下部に向かってテーパを持つ形状のホールを形成することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/28
, H01L 21/90
