特許

J-GLOBAL ID：200903079625137757

不揮発性半導体記憶装置およびそれを用いたICメモリカード

発明者： 信方 浩美 ,  小坂 嘉財 ,  内貴 唯八
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-147711
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224491
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】スペア領域の信頼性を向上でき、また使い方に応じてデータ領域の信頼性を向上でき、また多値メモリとして追書込の機能を実現できる不揮発性半導体記憶装置およびそれを用いたICメモリカードを提供する。【解決手段】4値と2値データを記録可能なデータ領域21Dと、2値データを記録可能なスペア領域21Sと、データ領域21Dに駆動電圧を供給するデータ領域用のデコーダ23D、22Dと、スペア領域21Sに駆動電圧を供給するスペア領域用のデコーダ23S、22Sと、データ領域21Dに記録される多値レベルに応じてデータ領域とのデータの授受を行い、データの授受が正常に完了するとサブデコーダ23Dの駆動電圧の供給を停止させるラッチ回路24と、スペア領域21Sとのデータの授受を行い、データの授受が正常に完了するとサブデコーダ23Sの駆動電圧の供給を停止させるラッチ回路25とを設ける。

請求項（抜粋）：

2値または3値以上の多値データを記録可能なメモリセルトランジスタが複数配列されたメモリセル領域を有する不揮発性半導体記憶装置であって、上記メモリセル領域には重要度が異なる複数種のデータが記録され、重要度が高いデータ程、多値のレベル数が低い不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G06K 19/07 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 17/00 641 ,  G06K 19/00 N ,  G11C 17/00 633 D