特許
J-GLOBAL ID:200903079627489111

3レベル電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田澤 博昭 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-197438
公開番号(公開出願番号):特開平6-022555
出願日: 1992年07月02日
公開日(公表日): 1994年01月28日
要約:
【要約】【目的】 起動時に過電圧が印加されないようにして、自己消弧型半導体素子の破壊を防止すること。【構成】 直流電源10の正負端子間に直列接続された第1ないし第4の自己消弧型半導体素子1au〜1duと、この第1及び第2、第3及び第4の相互接続点を上記直流電源10の中性点接続端子に接続するクランプ素子2eu、2fuと、第2及び第3の相互接続点に接続された交流電圧端子とから構成されたアームが複数台並列接続された3レベル電力変換装置において、起動時に所定時間前記交流電圧端子が全て同一電位となるように前記自己消弧型半導体素子のオンオフ動作を制御する制御手段21を備えた構成である。
請求項(抜粋):
中性点接続端子を有する直流電源と、前記直流電源の正負端子間に直列接続された第1ないし第4の自己消弧型半導体素子と、前記第1及び第2の自己消弧型半導体素子の相互接続点及び前記第3及び第4の自己消弧型半導体素子の相互接続点を前記中性点接続端子に接続するクランプ素子と、前記第2及び第3の自己消弧型半導体素子の相互接続点に接続された交流電圧端子とから構成されたアームが複数台並列接続された3レベル電力変換装置において、起動時に所定時間前記各アームの交流電圧端子が全て同一電位となるように前記自己消弧型半導体素子のオンオフ動作を制御する制御手段を備えたことを特徴とする3レベル電力変換装置。
IPC (2件):
H02M 7/48 ,  H02M 7/515
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平1-034182
  • 特開平3-195369
  • 特開平3-293971

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