特許

J-GLOBAL ID：200903079628355240

多層回路基板

発明者： 脇坂 康尋 ,  川崎 雅史
出願人/特許権者： 日本ゼオン株式会社
代理人 (1件)： 大石 治仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095901
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284821
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】電気絶縁層間の密着性が高く、かつ高周波特性に優れる(誘電正接が低い)多層回路基板を提供する。【解決手段】電気絶縁層(1)とその表面に形成された導電体回路(1)とからなる内層基板と、前記内層基板上にカップリング剤により形成されたプライマー層と、前記プライマー層の上に脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテルを含有する硬化性組成物を硬化してなる電気絶縁層(2)と、前記電気絶縁層(2)の上に導電体回路(2)を有する多層回路基板、又は電気絶縁層(1)と、その表面に形成された表面粗さRaが0.1〜400nmの導電体回路(1)とからなる内層基板と、前記内層基板上に脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテルとカップリング剤とを含有する硬化性組成物を硬化してなる電気絶縁層(2)と、前記絶縁層(2)の上に導電体回路(2)とを有する多層回路基板。

請求項（抜粋）：

電気絶縁層(1)とその表面に形成された導電体回路(1)とからなる内層基板と、前記内層基板上に、カップリング剤により形成されたプライマー層と、前記プライマー層の上に脂環式オレフィン重合体または芳香族ポリエーテルの少なくとも1種を含有する硬化性組成物を硬化してなる電気絶縁層(2)と、前記電気絶縁層(2)の上に導電体回路(2)を有する多層回路基板。

FI (2件)：

H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 B

Fターム (18件)：

5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346CC41 ,  5E346DD02 ,  5E346DD17 ,  5E346DD24 ,  5E346DD33 ,  5E346DD47 ,  5E346EE02 ,  5E346EE14 ,  5E346FF17 ,  5E346GG15 ,  5E346HH06 ,  5E346HH11