半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119135
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311898
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】回路ブロック間に配線層を設けてもN型反転層が形成されず、ノイズ、リーク、クロストーク等を低減することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 P型半導体基板101上に所定の距離をもって回路ブロック102,103が配設され、その間に配線層112が設けられ、P型半導体基板101内の表面近傍で且つ各回路ブロックの近傍にNウェル108,109及びPウェル106,107が形成された半導体装置にあって、Nウェル及びPウェルが形成されることなく配線層112に対向するP型半導体基板内に設けられたP型半導体基板領域110と配線層112の間にポリシリ領域111を設け、これに所定のバイアスを印加する。ポリシリ領域111により、P型半導体基板領域110の上部にN型反転層が形成されるのを防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に所定の距離をもって第1及び第2の回路ブロックが配設され、前記第1及び第2の回路ブロック間に配線層が設けられ、前記半導体基板内の表面近傍で且つ前記各回路ブロックの近傍にNウェル及びPウェルが形成された半導体装置において、Nウェル及びPウェルが形成されることなく前記配線層に対向する前記半導体基板内に設けられたP型半導体基板領域部と、前記P型半導体基板領域部と前記配線層の間に設けられて前記第1及び第2の回路ブロック間でノイズを遮蔽すると共にその間のクロストークを防止する導電層を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/761 , H01L 21/768 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/08 331 , H01L 29/41

FI (6件)：

H01L 21/88 S , H01L 27/08 331 Z , H01L 21/76 J , H01L 21/90 V , H01L 27/04 D , H01L 29/44 E

Fターム (20件)：

4M104BB01 , 4M104FF01 , 4M104FF10 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F032AB02 , 5F032CA03 , 5F033HH04 , 5F033VV03 , 5F033VV05 , 5F033XX26 , 5F038BH01 , 5F038BH10 , 5F038BH19 , 5F038CA09 , 5F038CD10 , 5F038CD18 , 5F048AB10 , 5F048BF03 , 5F048BF07

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-206646
特開平1-206646
特開平3-035552

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